矿冶工程

作者：陈丽诗, 伍美珍, 卢兴伟, 贾元伟, 张家涛, 彭巨擘

单位：云南锡业集团控股有限责任公司研发中心,云南 昆明 650106

关键词：真空蒸馏,定向凝固,提纯,高纯铟,半导体

基金：云南省稀贵金属材料基因工程(202002AB080001)

采用真空蒸馏-籽晶定向凝固工艺制备6N及以上高纯铟,考察了蒸馏温度、凝固速度及凝固次数对杂质脱除率的影响,并对半导体用高纯铟进行了表面分析及其纯度测定。结果表明,真空蒸馏温度1 273 K、保温时间60 min、定向凝固温度150~170 ℃、籽晶转速5 r/min、坩埚转速15 r/min、凝固速度20 mm/h、凝固次数3次条件下,高纯铟产品纯度达到6N及以上超高纯铟标准,该工艺所得金属铟结晶度高,呈现出片状结构,金属呈单晶相,实现了6N及以上金属铟的稳定结晶,并且金属铟没有腐蚀和表面氧化,该半导体用高纯铟制备工艺所得产品纯度高、制备过程能耗低和效率高,利于实现产业化。

来源：2022年第1期

《矿冶工程》期刊编辑部

查看矿冶工程杂志2022年第1期